| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
電化學(xué)工作站由高速M(fèi)CU、高精度FET集成電路組成，內(nèi)置DDS數(shù)字信 號(hào)合成器、高功率恒電位/恒電流儀、雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高 精度24bit AD轉(zhuǎn)換器。能完成線(xiàn)性?huà)呙璺玻↙SV）、循環(huán)伏安（CV）、階梯波循環(huán) 伏安（SCV）、方波循環(huán)伏安（SWV）、差分脈沖伏安（DPV）和常規(guī)脈沖伏安（NPV）以及差分常規(guī)脈沖伏安 （DNPV）等電分析方法；還可以完成恒電流（位）化、動(dòng)電位（流）掃描、恒電流 （位）方波、多恒電流（位）階躍、零電阻電流計(jì)、電化學(xué) 噪聲（電偶電流）、電化學(xué)阻抗（EIS）等電化學(xué)測(cè)試等功能，測(cè)量功能定 時(shí)自動(dòng)進(jìn)行，用于人值守下的自動(dòng)測(cè)量。
多通道電化學(xué)工作站（四通道），通道切換采用繼電器進(jìn)行，并由定時(shí)器控制來(lái)進(jìn)行分時(shí)測(cè)量，主于多電解池體系自動(dòng)循環(huán)測(cè)試，以提高工作效率。
可用于較大電流和較高槽壓的電化學(xué)測(cè)量和應(yīng)用，例如電池、電分析、腐蝕、電解、電鍍等。儀器的電流輸出范圍為±2A，槽壓為±21V。電壓控制范圍：±10V；電流控制范圍：±2.0A；電流測(cè)量下限為10pA。
測(cè)試軟件是CS電化學(xué)工作站的控制平臺(tái)，軟件基于Windows98/ 2000/XP/Vista/Windows7操作系統(tǒng)，并遵守Windows軟件設(shè)計(jì)規(guī)則，易于安裝和使用。軟件包括文件管理、實(shí)驗(yàn)方法管理、多坐標(biāo)圖形顯示和縮放、數(shù)據(jù)/圖形的存貯/打印以及交互式幫助等。軟件具有的用戶(hù)界面，命令窗口所用的詞匯與的電化學(xué)術(shù)語(yǔ)保持*，中文菜單和界面，方便用戶(hù)的教學(xué)和科研工作。
測(cè)試軟件還具有針對(duì)材料和腐蝕電化學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法，包括鈍化曲線(xiàn)自動(dòng)或人工反掃，電化學(xué)再活化法，溶液電阻（IR降）測(cè)量和補(bǔ)償法。分析軟件則具有完善的數(shù)據(jù)分析功能，可對(duì)伏安曲線(xiàn)進(jìn)行數(shù)字平滑、積分、微分運(yùn)算，能對(duì)化曲線(xiàn)進(jìn)行電化學(xué)參數(shù)解析，包括化電阻Rp，Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，腐蝕速率計(jì)算等，還可計(jì)算噪聲電阻Rn和功率譜，并可將圖形以矢量方式拷貝到Microsoft Word 文檔中。
電化學(xué)工作站采用USB2.0接口與計(jì)算機(jī)通訊，設(shè)備安裝簡(jiǎn)單，即插即用。
外形尺寸：36.5cm（寬）*30.5cm（深）*16cm（高） 儀器重量：6.5Kg
應(yīng)用領(lǐng)域：
1.研究電化學(xué)機(jī)理；物質(zhì)的定性定量分析
2.常規(guī)電化學(xué)測(cè)試，包括電合成、電沉積（電鍍）性能評(píng)價(jià)
3.功能和能源材料（電池、超電容器、納米材料、生物傳感器等）的機(jī)理和制備研究
4.緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率快速評(píng)價(jià)以及氫滲測(cè)試等
5.金屬材料在導(dǎo)電性介質(zhì)（包括水/混凝土/土壤等環(huán)境）中的腐蝕電化學(xué)測(cè)試
儀器配置：
1.儀器主機(jī)1臺(tái)
2.測(cè)試與分析軟件1套
3.電解池（含鹽橋和排氣管）4套
4.鉑金電、參比電、工作電及4支
5.模擬電解池1個(gè)
6.電源線(xiàn)/USB數(shù)據(jù)線(xiàn)1條
7.電電纜線(xiàn)4根
8.屏蔽箱 （選配*）
指標(biāo)與功能方法：
恒電位電位控制范圍：±10V
恒電流控制范圍：±2.0A
電位控制精度：0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度：0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)
電位靈敏度：10cV（>100Hz）, 3mV（<10Hz）
電流靈敏度：<10pA
電位上升時(shí)間：﹤1mS（<10mA）,<10mS（<2A）
電流量程：2A～200nA, 共8檔
參比電輸入阻抗：1012 W||20pF
zui大輸出電流：2.0A
槽壓：±21V
電流掃描增量：1mA @1A/mS
CV 和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s
電位掃描時(shí)電位增量：0.1mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz
CV的zui小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit1MHz，20bit @1kHz
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1mS
低通濾波器 ：8段可編程
接口通訊模式：USB2.0
SWV頻率：0.001～100KHz
CV的zui小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit1MHz，20bit @1kHz
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1mS
低通濾波器 ：8段可編程
接口通訊模式：USB2.0
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)：
信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10mHz～115KHz（CS314/CS354）
10mHz～115KHz（CS364）
交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV
直流偏壓：-10～+10V
DDS輸出阻抗：50W
波形：正弦波，三角波，方波
正弦波失真：<1%
掃描方式：對(duì)數(shù)/線(xiàn)性，增加/下降
zui大負(fù)載電容：1nF；zui大負(fù)載電感：10mH
信號(hào)分析器
積分時(shí)間：zui大值：106個(gè)循環(huán)或者105S
測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
zui小值：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的zui長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位自動(dòng)補(bǔ)償范圍：-10V～+10V
電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8可調(diào)
腐蝕測(cè)量：
開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）
恒電位化
恒電流化（計(jì)時(shí)電位法, CP）
動(dòng)電位掃描（Tafel化曲線(xiàn)）
線(xiàn)性化曲線(xiàn)（LPR）
循環(huán)化曲線(xiàn)（依擊穿電流回掃）
動(dòng)電流掃描
電化學(xué)噪聲測(cè)量
電偶腐蝕測(cè)量（零阻電流計(jì)）
氫滲透監(jiān)測(cè)
伏安分析：
線(xiàn)性?huà)呙璺卜ǎ↙SV）
差分脈沖伏安法（DPV）
常規(guī)脈沖伏安法（NPV）
方波伏安法（SWV）
交流伏安法（ACV）
溶出伏安法
常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）
差分脈沖電流檢測(cè)（DPA）
雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA）
循環(huán)伏安法（CV）
階梯伏安法（SCV）
計(jì)時(shí)電位法 （CP）
計(jì)時(shí)電流法 （CA）
計(jì)時(shí)電量法（CC）
暫態(tài)化：
恒電位方波
恒電流方波
多電位階躍（VSTEP）
多電流階躍（ISTEP）
交流阻抗：
化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描
擴(kuò)展測(cè)量：
電池充放電測(cè)試
自動(dòng)定時(shí)測(cè)量
數(shù)字記錄儀
IR降測(cè)量
波形發(fā)生器
圓盤(pán)電機(jī)控制
注：* 氫滲透測(cè)試中主動(dòng)式充氫需要另行配置ELDYCS-1001A精密恒流源使用。 焊接測(cè)量尺 測(cè)齒儀 www.ghitest.com www.centrwin.com
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