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產(chǎn)品型號(hào)： |
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產(chǎn)品名稱(chēng)： |
射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào)：ZH5494 |
產(chǎn)品報(bào)價(jià)： |
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產(chǎn)品特點(diǎn)： |
本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 |
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射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào)：ZH5494的詳細(xì)資料： |
射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào)：ZH5494
| 貨號(hào)：ZH5494 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。
通過(guò)本實(shí)驗(yàn)裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）；理解CVD的成膜過(guò)程及要求，化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理，等離子燒結(jié)車(chē)掃描測(cè)溫云臺(tái)體CVD的原理、特點(diǎn)及等離子體的激勵(lì)方式；了解該在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。
可開(kāi)設(shè)的實(shí)驗(yàn)
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用；
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備；
3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。
主要參數(shù)
1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；尺寸：Φ220×H230mm；
2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa；
3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz；
4、氣路系統(tǒng)：表面粗糙度樣板 由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制（可選配流量計(jì)）；
5、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；
6、平行板電：Φ70mm；
7、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br /> 8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機(jī)械泵，4L/S，單相220V交流電源供電；
9、管道、閥門(mén)：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管；
10、對(duì)過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；
11、供電電源：AC220V，50Hz，整機(jī)功率2KW。
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| 產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字： 射頻CCP薄膜沉積裝置 |
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